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型号 SI3442BDV-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
SI3442BDV-T1-E3 PDF
代理商 SI3442BDV-T1-E3
产品目录绘图 DV-T1-E3 Series 6-TSOP
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 57 毫欧 @ 4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 295pF @ 10V
功率 - 最大 860mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI3442BDV-T1-E3TR
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